| 在研究Ta₂NiSe₅/Bi₂Se₃ 异质结光电探测器的宽带光响应能力时，观察到不同激光功率下明显的光电流开关特性，相关结果如图3所示。图3a展示了1550 nm处的光响应显示出激光功率增加和光电流增强之间的明显相关性。这种行为表明与吸收的入射光子成正比的光生载流子的产生增加。图3b进一步探讨了不同波长（520-1650 nm）下的实时光响应特性。图3e探讨了器件在4.65 μm红外辐射下的室温自供电光响应。对最小光照信号的增强探测归因于II型异质结的******能带对准。图3h总结了主要基于二维材料的光电探测器的性能及其最高记录。
图3 Ta₂NiSe₅/Bi₂Se₃异质结光电探测器在可见光到中波红外波段的光响应特性
这项研究探索了Ta₂NiSe₅/Bi₂Se₃异质结的偏振分辨光探测能力，利用其各向异性光学特性为红外探测增加了新的维度。图4a说明了该Ta₂NiSe₅/Bi₂Se₃异质结探测器检测偏振敏感特性。
图4 偏振分辨型Ta₂NiSe₅/Bi₂Se₃异质结光电探测器
此外，研究人员利用基于Ta₂NiSe₅/Bi₂Se₃异质结的室温红外探测器的快速响应能力，开创了其在红外光通信中的应用。值得注意的是，光通信的工作窗口（关键窗口的1550 nm）均处于该器件的响应光谱范围。图5展示了光通信中新型视觉应用的实验设置及应用成果。
图5 异质结光电探测器在近红外通信和成像的应用
综上所述，这项研究成功地设计和制造了一种II型Ta₂NiSe₅/Bi₂Se₃异质结光电探测器，它可在室温宽光谱下工作，适合成像和光通信应用。与组成材料相比，该异质结表现出卓越的性能。这些成就突显了精心设计的能带排列和器件结构在提高红外探测器性能方面的潜力。这些进步对于提高数据传输速率和图像质量，从而满足现代社会对高效通信和精确成像的需求至关重要。这项工作不仅有助于从根本上理解基于异质结构的光电探测器，还为其在从安全通信到高分辨率成像等不同领域的应用开辟了新途径。 | 
