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半导体硅片的化学清洗技术

四. 新的清洗技术

A.新清洗液的开发使用
1).APM清洗
a. 为抑制SC-1时表面Ra变大,应降低NH4OH组成比,例:
NH4OH:H2O2:H2O = 0.05:1:1
当Ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变,在APM洗后的D1W漂洗应在低温下进行。
b. 可使用兆声波清洗去除超微粒子,同时可降低清洗液温度,减少金属附着。
c. 在SC-1液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19 dyn/cm。
选用低表面张力的清洗液,可使颗粒去除率稳定,维持较高的去除效率。
使用SC-1液洗,其Ra变大,约是清洗前的2倍。用低表面张力的清洗液,其Ra变化不大(基本不变)。
d. 在SC-1液中加入HF,控制其PH值,可控制清洗液中金属络合离子的状态,抑制金属的再附着,也可抑制Ra的增大和COP的发生。
e. 在SC-1加入螯合剂,可使洗液中的金属不断形成螯合物,有利抑制金属的表面的附着。
2).去除有机物: O3 + H2O
3).SC-1液的改进: SC-1 + 界面活性剂
SC-1 + HF
SC-1 + 螯合剂
4).DHF的改进:
DHF + 氧化剂(例HF+H2O2)
DHF + 阴离子界面活性剂
DHF + 络合剂
DHF + 螯合剂
5)酸系统溶液:
HNO3 + H2O2、
HNO3 + HF + H2O2、
HF + HCL
6).其它: 电介超纯去离子水

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